메모리 반도체(RAM, ROM)와 비메모리 반도체를 비교하여 간단하게 정리하고자 합니다. 반도체 주식을 투자하는 데 있어서 반도체에 대한 기본 이해는 필수입니다. 오늘은 메모리 및 비메모리 반도체에 대해 간단하게 정리해 드릴게요.
먼저 한눈에 표로 메모리 반도체와 비메모리 반도체를 정리하였습니다. 아래 표를 먼저 보고 이해하시면 이해가 훨씬 쉽게 되실 겁니다.
1. 메모리 반도체
메모리 반도체는 정보를 기억, 저장하는 역할을 하며, 자료 저장이 주 목적인 반도체입니다. 크게 RAM(휘발성 메모리)과 ROM(비휘발성 메모리)로 나누어집니다.
(1) RAM (Random Access Memory) 휘발성 메모리
기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수도 있는 메모리를 말합니다. 휘발성 메모리(전원이 끊기면 데이터가 사라짐)입니다. 읽기와 쓰기가 가능합니다. RAM은 다시 DRAM과 SRAM으로 나누어집니다.
1) DRAM(Dynamic Random Access Memory)
DRAM은 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하는 기억장치입니다. 축전기가 전자를 점차 누전(leakage)하므로 기억된 정보를 잃게 되어, 이를 방지하기 위해 기억장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 하므로 '동적(Dynamic)'이란 명칭이 주어졌습니다.
SRAM에 비해서는 느리나, 전력소모가 낮고 가격이 쌉니다. 캐시 기억장치에 비해 다소 속도가 떨어져도 무방한 일반적인 기억장치에 사용됩니다.
※ DDR (Double Data Rate) : 90년대 말 국제표준화 기구 JEDED(Joint Electron Device Engineering Council)이 새로 채택한 메모리 기술. 낮은 전력으로 한 번의 클럭(0과 1로 이루어진 디지털 신호의 파장) 신호에 데이터를 두 번 전송할 수 있어 고속력, 저전력으로 데이터 처리 가능해짐. 전송 속도를 높인 DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 등 제품이 진화 중에 있음.
(참고 1) SDRAM(synchronous dynamic random access memory) : 클록속도가 CPU와 동기화되어 있는 DRAM의 다양한 종류를 모두 일컫는다. 따라서 CPU가 작동할 때 D램도 따라 움직여서 CPU가 수행할 수 있는 명령어 개수를 증가시키는데 도움을 줌.
(참고 2) DDR SDRAM : 2배속(DDR: Double Data Rate) 모드라고 하는 고속의 데이터 전송 기능을 가진 동기식 동적 램(SDRAM: Synchronous DRAM). SDRAM보다 처리속도가 2배 빠름.
기존의 SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)은 클락 사이클의 상승단(rising edge) 또는 하강단(falling edge)에서 명령어 또는 데이터를 한 번만 주고받은 반면, 2배속(DDR) SDRAM은 클락 사이클의 상승단(rising edge)과 하강단(falling edge) 모두에서 명령어 또는 데이터를 주고받아 2배의 전송 속도를 실현.
※ LPDDR(Low Power Double Data Rate) : 스마트폰, 태블릿 같은 모바일 기기 전용 저소비전력 D램. 모바일 D램도 MDDR, LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LPDDR5 등으로 구분하며, DDR과 마찬가지로 세대가 높아질수록 데이터 처리 속도와 소비전력을 향상
2) SRAM(Static Random Access Memory)
플리플롭(Flip-flop) 방식의 메모리 셀을 가진 임의 접근 기억장치로서, 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억하므로, '정적(Static)'이란 명칭이 주어졌습니다. DRAM에 비해 5배는 빠르나, 전력소모가 높고 가격이 비쌉니다. 소용량의 메모리나 중앙처리장치(CPU), 캐시메모리(cache memory)에 주로 사용됩니다.
(2) ROM (Read Only Memory) 비휘발성 메모리
ROM은 한번 기록한 데이터를 빠른 속도로 읽을 수 있지만, 다시 기록할 수 없는 메모리. 비휘발성 메모리. 읽기만 가능합니다. ROM은 플래시 메모리로 낸드형과 노어형으로 나누어집니다.
1) 플래시 메모리 : 전원이 끊겨도 데이터를 보존하는 특성을 가짐
A) 낸드(Not AND) 형
- 반도체 칩 내부의 전자회로 형태 : 직렬
- 수직배열을 통해 소형화, 대용량화가 가능하며, 용량을 늘리기 쉽고 쓰기 속도가 빠름
- 노어형에 비해 제조단가가 싸고 용량이 큼
B) 노어(Not OR) 형
- 반도체 칩 내부의 전자회로 형태 : 병렬
- 낸드 플래시보다 읽기 속도가 빠르지만, 쓰기 속도는 낸드플래시보다 느림
- 저장할 수 있는 공간이 좁아 대용량이 어려움
※ SSD (Solid State Drive) : 메모리 반도체를 저장매체로 사용하는 차세대 대용량 저장장치. HDD(Hard Disk Drive)를 대체해 컴퓨터 운영체제와 데이터를 저장하는 보조기억장치. 반도체 칩에 정보가 저장된다고 하여 SSD로 불림. SSD는 낸드플래시(NAND Flash, 데이터 저장용 메모리), 컨트롤러(Controller, 인터페이스와 메모리 사이의 데이터 교환 작업 제어), DRAM(외부 장치와 캐시메모리 역할)으로 구성. 낸드 플래시 메모리는 전원이 꺼지더라도 기록된 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 메모리이기 때문에 데이터의 영속성 보장.
2. 비메모리 반도체
비메모리 반도체는 메모리를 제외한 반도체의 제품군을 의미합니다. 데이터의 연산, 처리(제어, 변환, 가공 등), 해석 등 논리적인 정보 처리에 사용됩니다. 비메모리 반도체는 시스템반도체와 광개별소자로 나누어지나, 광개별소자의 비중이 크지 않기 때문에 통상 반도체 기사 등에서는 비메모리반도체=시스템반도체로 표기합니다.
비메모리 반도체는 시스템 반도체(마이크로컴포넌트, 로직 IC, 아날로그 IC)와 광개별 소자(개별소자, 센서)로 분류됩니다. 자세한 내용은 아래 그림을 참고하시면 도움이 될 것입니다. 반도체 뉴스 기사에서 자주 등장하는 AP(Application Processor), DDI 등이 비메모리 반도체입니다.
또한 비메모리 관련주 TOP5도 공유해 드리겠습니다. 비메모리(시스템) 반도체 관련주도 상세하게 정리해 두었습니다.
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반도체 업종에 대해 반도체 공정, 반도체 주요 용어도 정리해두었으니 꼭 참고하여 보세요.
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